KYOTO, Japan, 17. April 2026 /PRNewswire/ -- Die Nuvoton Technology Corporation Japan (im Folgenden „NTCJ") gab am 15. April bekannt, dass sie im Mai mit der Serienproduktion einer „Hochleistungs-Violett-Laserdiode (402 nm, 4,5 W)" beginnen wird, die in einem CAN-Gehäuse (TO-9) mit 9,0 mm Durchmesser eine in der Branche führende (*1) optische Leistung erzielt. Dank seiner proprietären Bauweise und seiner Technologie zur Wärmeableitung erreicht dieses Produkt im Vergleich zu herkömmlichen Produkten von NTCJ (*2) eine 1,5-fach höhere optische Leistung und trägt zur Steigerung des Produktionsdurchsatzes bei optischen Geräten wie maskenlosen Lithografiesystemen bei. Darüber hinaus ermöglicht die Aufnahme dieses Produkts in das Sortiment von NTCJ, dass das Produktportfolio nun die wichtigsten lichtempfindlichen Materialien abdeckt, die in der modernen Halbleiterverpackung zum Einsatz kommen.
(*1) Stand: 15. April 2026, basierend auf Untersuchungen des NTCJ zu Laserdioden mit einer Emissionswellenlänge von 402 nm in einem TO-9-CAN-Gehäuse im Dauerstrichbetrieb (CW) bei einer Gehäusetemperatur (Tc) von 25 °C.
(*2) Das Standardprodukt KLC432FL01WW von NTCJ (402 nm, 3,0 W, TO-9-CAN-Gehäuse)
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Violette 402-nm-Laserdioden sind in der Regel mit einem relativ geringen Wandsteckerwirkungsgrad (WPE), Eigenerwärmung und einer durch die kurze Wellenlänge bedingten Leistungsminderung konfrontiert, was einen stabilen Betrieb bei hoher Leistung einschränkt. Um diesen Herausforderungen zu begegnen, wurden die „Gerätestruktur zur Steigerung der WPE" und die „Gehäusetechnologie mit hoher Wärmeleitfähigkeit zur effektiven Wärmeableitung", die bei der im Januar 2026 vorgestellten Hochleistungs-Ultraviolett-Laserdiode zum Einsatz kamen, auf den violetten Wellenlängenbereich ausgeweitet. Daher bringt NTCJ eine leistungsstarke violette Laserdiode auf den Markt, die die 1,5-fache optische Leistung des bisherigen NTCJ-Produkts erreicht und sich durch eine längere Lebensdauer im Hochleistungsbetrieb sowie eine verbesserte Wärmeableitung auszeichnet, was zu einem höheren Produktionsdurchsatz in industriellen optischen Anlagen beiträgt.
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Dieses Produkt bietet einen erheblichen Mehrwert für die maskenlose Lithografie im Bereich der fortschrittlichen Halbleiterverpackung, einem schnell wachsenden Markt, der durch die Nachfrage nach KI angetrieben wird. Bei der maskenlosen Lithografie werden Leiterbahnmuster direkt anhand der Konstruktionsdaten belichtet, was Kosten und Entwicklungszeit senkt und gleichzeitig eine hochpräzise Korrektur von Verformungen und Verzerrungen des Substrats ermöglicht. Laserdioden müssen zunehmend Wellenlängen im Bereich der I-Linie (365 nm) und der H-Linie (405 nm) der Quecksilberlampe abdecken und eine höhere optische Leistung liefern, um den Durchsatz zu verbessern. Nach der im Januar 2026 angekündigten 379-nm-Hochleistungs-UV-Laserdiode mit 1,0 W für i-Line-Anwendungen erweitert NTCJ sein Angebot um eine 402-nm- 4,5-W-Hochleistungs-Violett-Laserdiode für H-Linien-Anwendungen hinzu und erweitert damit sein Angebot an Lichtquellen für die maskenlose Lithografie, um eine Vielzahl wichtiger lichtempfindlicher Materialien und einen höheren Durchsatz zu unterstützen.
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Darüber hinaus erweitert dieses Produkt das Angebot von NTCJ an „Halbleiterlaser-basierten Alternativen zu Quecksilberlampen" und bietet eine neue Lichtquelle im H-Linien-Bereich für die Photohärtung, den 3D-Druck, die Sensorik, die Biomedizin und die Markierung. Dies trägt zur Verbesserung der Prozesseffizienz bei und ermöglicht neue optische Anwendungen.
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Dieses Produkt wird voraussichtlich am Stand von NTCJ auf der „OPIE '26" zu sehen sein, die vom 22. bis 24. April 2026 in Yokohama, Japan, stattfindet.
Weitere Informationen über das Produkt finden Sie hier: https://nuvoton.co.jp/semi-spt/apl/rd/?id=1100-0268
Informationen zu Nuvoton Technology Corporation Japan: https://www.nuvoton.co.jp/en/
OPIE (OPTICS & PHOTONICS International Exhibition): https://www.opie.jp/en/
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